【摘要】采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射线光电子能谱分析氧化铟锡透明导电层中In、O元素化合态;研究了不同氧化铟锡透明导电层厚度对器件光电参数、热稳定性、发光角度的影响,结果表明随着氧化铟锡透明导电层厚度增加器件电压降低、发光亮度先增加后下降,热稳定性随厚度增加而变好,发光角度随厚度增加而减小。
【关键词】
《建筑知识》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《阅江学刊》 2015-07-02
《中外医疗》 2015-07-06
《当代体育科技》 2015-07-07
《重庆与世界》 2015-07-01
010-56259535
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